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意法半導體提升車用40V MOSFET的雜訊表現和效能

橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics；簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM)發(fā)布兩款40V車用等級MOSFET。

新產品采用意法半導體最新的STripFET F7制造技術，開關性能優(yōu)異且效能出色、雜訊輻射極低，且抗干擾能力強。新產品最大輸出電流達120A，主要應用包括高電流的動力總成、車身或底盤和安全系統(tǒng)，同時優(yōu)異的開關特性使其適用于馬達驅動裝置，例如，電動助力轉向系統(tǒng)(Electric Power Steering；EPS)。

意法半導體的STripFET系列采用DeepGATE技術，達到降低單位面積導通電阻和RDS(on)x柵電荷(Qg)值，在采用相同的功率元件封裝條件提供更高的效能。高雪崩耐受度特點是此新產品另一大亮點。

透過降低體效應二極體的反向恢復電荷(Qrr)和反向恢復時間(trr)，STripFET F7增強切換性能和大幅提升產品效能，另外軟性反向恢復可大幅降低靜電干擾(electromagnetic interference；EMI)，從而放寬對濾波元件的要求。

此外，優(yōu)化此裝置的容值，使元件抗干擾性獲得改善，緩解對緩沖電路的需求，柵極磁滯電壓校調使元件具有良好的抗干擾功能，而無需專用柵極驅動器。在馬達驅動等電橋拓樸中，二極體軟性恢復特性有助于防止直通電流現象發(fā)生，從而提升驅動電路的可靠性。

40V STL140N4F7AG和STL190N4F7AG通過AEC-Q101標準認證，采用側面可沾錫焊接的PowerFLAT 5x6封裝。小巧的封裝面積和0.8mm的厚度支援高系統(tǒng)功率密度，此外側面鍍錫設計有助于提升焊接可靠性和壽命，以及100%支援自動光學檢驗程序。40V車用STripFET F7 MOSFET即日起量產。