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紫光國芯:DRAM芯片設計技術(shù)處于世界先進水平

紫光國芯周一在全景網(wǎng)投資者互動平臺上回答投資者提問時介紹，DDR4與DDR3相比，單條容量有很大提高，可以實現(xiàn)較高的容量。另外，頻率和帶寬都有明顯提高。工藝的提高也會降低工作電壓，有利于更低的功耗。

同時，關(guān)于公司在國內(nèi)業(yè)界、排名情況，紫光國芯介紹，公司的DRAM芯片設計技術(shù)處于世界先進水平，國內(nèi)稀缺，但目前產(chǎn)品產(chǎn)量很小，市場份額不大。

針對投資者關(guān)于公司DDR4存儲器芯片相比DDR3優(yōu)勢的詢問，紫光國芯作出上述回應。

1月26日紫光國芯在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設計，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶圓的制造能力，公司會考慮與其合作。